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第三代半导体加速爆发,SiC、GaN产业化进度如何?

发布时间：

2021-11-12 10:57

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三代半导体材料,SiC和GaN近两年来的表现突出——2021年,SiC功率器件在特斯拉Model 3旗舰车型商用

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半导体设备需求强劲，国产设备加速推

IC集成电路分析与预测:超强需求已过,但前景仍然可期

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MOS管输入电阻很高，为什么一遇到静电就“歇菜”？

对于各位攻城狮而言，MOS管算不上陌生，遇到电源设计、或者驱动方面的电路，难免会用到它。MOS管有很多种类，也有很多作用。

隔离与非隔离原来区别是这样的

隔离电源：电源的输入回路和输出回路之间没有直接的电气连接，输入和输出之间是绝缘的高阻态，没有电流回路，如图1所示：图1 采用变压器的隔离电源2、非隔离电源：输入和输出之间有直接的电流回路，例如，输入和输出之间是共地的。以隔离的反激电路和非隔离的BUCK电路为例，如图2所示。图2 非隔离电源隔离电源与非隔离电源的优缺点由上述概念可知，对于常用的电源拓扑而言，非隔离电源主要有：Buck、Boost、Buck-Boost等;而隔离电源主要有各种带隔离变压器的反激、正激、半桥、LLC等拓扑。结合常用的隔离与非隔离电源，我们从直观上就可得出它们的一些优缺点，两者的优缺点几乎是相反的。

超實用的開關電源中緩沖吸收電路案列

基本拓扑电路上一般没有吸收缓冲电路，实际电路上一般有吸收缓冲电路，吸收与缓冲是工程需要，不是拓扑需要。缓冲电路是控制开关器件快速上升和下降引起的瞬态尖峰的重要办法。它们通常主要是由一些无源器件组成的网络，用来控制电路中无功元件产生的振荡。

MOSFET和三极管ON状态有什么区别？

MOSFET和三极管，在ON状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。

ESD保护管你知多少？

静电，是大家非常熟悉的一种普遍自然现象。虽然静电独有的特性功能被应用到我们日常生活中，比如：静电除尘、静电复印、静电喷涂、静电植绒、静电分离等，但是，对于电子产品、设备而言，静电放电是一种危害，导致功能紊乱甚至部分精密器件损坏。为此，静电对电路引起的干扰、对元器件、CMOS电路及接口电路造成的破坏等问题引起重视。尤其是接触过静电防护方案设计的工程师，静电对电子产品造成的干扰或损坏程度心知肚明。为此，在电路设计中，ESD保护二极管，是必不可缺少的电路保护器件。

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穿越周期，国产替代进入新阶段根据 SEMI 的统计，半导体制造设备全球总销售额预计将在 2022年再次突破记录达到 1175亿美元